TK100L60W,VQ

निर्माता भाग संख्या:	TK100L60W,VQ
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
डाटा शीट:	TK100L60W,VQ डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	DTMOSIV
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	600 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	100A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	18mOhm @ 50A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3.7V @ 5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	360 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±30V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	15000 pF @ 30 V
फ़ीचर फ़ीचर	Super Junction
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	797W (Tc)
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-3P(L)
पैकेज / मामला	TO-3PL

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