IRFSL4127PBF

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	HEXFET®
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	200 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	72A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	-
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	22mOhm @ 44A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	150 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	-
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	5380 pF @ 50 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	375W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-262
पैकेज / मामला	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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