SIRA12BDP-T1-GE3

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	TrenchFET® Gen IV
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	27A (Ta), 60A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	4.3mOhm @ 10A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	32 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	+20V, -16V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1470 pF @ 15 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	5W (Ta), 38W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PowerPAK® SO-8
पैकेज / मामला	PowerPAK® SO-8

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