MJD112T4G

निर्माता भाग संख्या:	MJD112T4G
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
डाटा शीट:	MJD112T4G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
ट्रांजिस्टर प्रकार	NPN - Darlington
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	2 A
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	100 V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ इब, आईसी	3V @ 40mA, 4A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)	20µA
डीसी करंट गेन (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce	1000 @ 2A, 3V
शक्ति - मैक्स	20 W
आवृत्ति - संक्रमण	25MHz
परिचालन तापमान	-65°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	DPAK

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