IR2102PBF

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
विन्यास को प्रेरित किया	Half-Bridge
चैनल प्रकार	Independent
ड्राइवरों की संख्या	2
गेट प्रकार	IGBT, N-Channel MOSFET
वोल्टेज आपूर्ति	10V ~ 20V
तर्क वोल्टेज - VIL, VIH	0.8V, 3V
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)	210mA, 360mA
निवेष का प्रकार	Inverting
उच्च पक्ष वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप)	600 V
उदय / पतन समय (टाइप)	100ns, 50ns
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	8-DIP (0.300", 7.62mm)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-PDIP

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स्टॉक की अवस्था: 20800

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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