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Vishay / Siliconix / SI7119DN-T1-GE3

SI7119DN-T1-GE3

निर्माता भाग संख्या: SI7119DN-T1-GE3
उत्पादक: Vishay / Siliconix
विवरण का हिस्सा: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
डाटा शीट: SI7119DN-T1-GE3 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
एक्टिव-सेमी SI7119DN-T1-GE3 chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखलाTrenchFET®
पैकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थितिActive
FET प्रकारP-Channel
प्रौद्योगिकीMOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली200 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस3.8A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)6V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस1.05Ohm @ 1A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs25 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds666 pF @ 50 V
फ़ीचर फ़ीचर-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)3.7W (Ta), 52W (Tc)
परिचालन तापमान-50°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारSurface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजPowerPAK® 1212-8
पैकेज / मामलाPowerPAK® 1212-8
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 3003

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

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